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在銅箔上加入少許氧 單晶石墨烯薄膜生產速度提高150倍

石墨烯是由碳原子構成的只有一層原子厚度的二維晶體材料,在電、光、機械強度上的優異特性,使其在電子學、太陽能電池、傳感器等領域有著眾多潛在應用。雖然需求巨大,但其制備速度緩慢,利用率一直徘徊在25%左右,成為制約其進入實際應用的瓶頸之一。近日,中國北京大學和香港理工大學的研究人員在《自然·納米技術》雜志上發表論文稱,他們在單晶石墨烯制備上取得了一項突破。通過對化學氣相沉積法(CVD)的調整和改進,即在參與反應的銅箔上直接加入了少許氧氣,他們將石墨烯薄膜生產的速度從每秒0.4微米加速到每秒60微米,速度提升150倍。新研究為石墨烯的大規模應用奠定了基礎。

 

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