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超薄壓電材料硫化鎘超薄納米片薄膜制備成功

新加坡南洋理工大學教授劉政團隊與中科院蘇州納米技術與納米仿生所研究員張珽團隊聯合南京大學、新加坡科技局先進制造研究所,以及美國杜克大學,五方合作,通過化學氣相沉積法,制備出高質量的壓電材料——硫化鎘(CdS)超薄納米片薄膜(厚度23—納米)。研究人員通過掃描探針顯微鏡等原位表征技術,對硫化鎘超薄納米片材料的垂直方向壓電性能進行了表征與系統研究,發現超薄硫化鎘納米片在垂直方向具有3倍于體相材料的巨大壓電常數,并且理論模擬很好地驗證了這個結論。這些結果為構筑超高精度的驅動器及新型高靈敏壓力、位移和應變傳感器奠定了重要的理論與實驗的基礎。

 

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